Name: IRFH5010TRPBF
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IRFH5010TRPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRFH5010TRPBF

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 10000

Datasheets in linea: IRFH5010TRPBF PDF

IRFH5010TRPBF Avvisu

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serie:HEXFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:13A (Ta), 100A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 150µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:4340 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):3.6W (Ta), 250W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchettu / casu:8-PowerVDFN

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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STU2NK100Z STMicroelectronics	MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK	In magazinu: 4225 In ordine: 4225	$3.24000