IRLHS6242TRPBF

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Parte di u fabricatore

IRLHS6242TRPBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
28188
Datasheets in linea
IRLHS6242TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10A (Ta), 12A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 10µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1110 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-PQFN (2x2)
  • pacchettu / casu:6-PowerVDFN
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