STQ1HN60K3-AP

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Parte di u fabricatore

STQ1HN60K3-AP

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
STQ1HN60K3-AP PDF
Inchiesta
  • serie:SuperMESH3™
  • pacchettu:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:400mA (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:8Ohm @ 600mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 50µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:9.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 50 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-92-3
  • pacchettu / casu:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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