Name: SIS126DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIS126DN-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SIS126DN-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 1281800

Datasheets in linea: -

SIS126DN-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET® Gen IV
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:12A (Ta), 45.1A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10.2mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1402 pF @ 40 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8
pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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FDP045N10A-F102 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3	In magazinu: 53338 In ordine: 53338	$2.50000