FDB0190N807L

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Parte di u fabricatore

FDB0190N807L

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
47217
Datasheets in linea
FDB0190N807L PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:270A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):8V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 34A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:249 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:19110 pF @ 40 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263-7
  • pacchettu / casu:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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