G3R75MT12J

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Parte di u fabricatore

G3R75MT12J

U fabricatore
GeneSiC Semiconductor
Descrizzione
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
800
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:G3R™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:42A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):15V
  • rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 20A, 15V
  • vgs (th) (max) @ id:2.69V @ 7.5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 15 V
  • vgs (max):±15V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1560 pF @ 800 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):224W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263-7
  • pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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