Name: FQPF7N65C
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQPF7N65C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FQPF7N65C

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 1000

Datasheets in linea: FQPF7N65C PDF

FQPF7N65C Avvisu

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serie:*
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:7A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.245 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):52W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220F
pacchettu / casu:TO-220-3 Full Pack

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