Name: SI2316DS-T1-E3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI2316DS-T1-E3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SI2316DS-T1-E3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 355497

Datasheets in linea: SI2316DS-T1-E3 PDF

SI2316DS-T1-E3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.9A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 3.4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:800mV @ 250µA (Min)

carica di porta (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:215 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):700mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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PSMN6R7-40MLDX Nexperia	MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33	In magazinu: 300000 In ordine: 300000	$0.53000
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7	In magazinu: 770 In ordine: 770	$27.92000