TPW4R50ANH,L1Q

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Parte di u fabricatore

TPW4R50ANH,L1Q

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
10000
Datasheets in linea
TPW4R50ANH,L1Q PDF
Inchiesta
  • serie:U-MOSVIII-H
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:92A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 46A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:58 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:5200 pF @ 50 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):800mW (Ta), 142W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-DSOP Advance
  • pacchettu / casu:8-PowerVDFN
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