CSD19533Q5AT

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Parte di u fabricatore

CSD19533Q5AT

U fabricatore
Texas
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
20000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:100A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:9.4mOhm @ 13A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2670 pF @ 50 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.2W (Ta), 96W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-VSONP (5x6)
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
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