Name: GA10SICP12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10SICP12-263
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: GA10SICP12-263

U fabricatore: GeneSiC Semiconductor

Descrizzione: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: GA10SICP12-263 PDF

GA10SICP12-263 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:-
tecnulugia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
drain à a tensione di fonte (vdss):1200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:25A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 10A
vgs (th) (max) @ id:-

carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):-
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1403 pF @ 800 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):170W (Tc)
temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D2PAK (7-Lead)
pacchettu / casu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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