Name: SIA811ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIA811ADJ-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SIA811ADJ-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 442509

Datasheets in linea: SIA811ADJ-T1-GE3 PDF

SIA811ADJ-T1-GE3 Avvisu

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serie:LITTLE FOOT®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4.5A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:116mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 8 V
vgs (max):±8V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:345 pF @ 10 V
funzione fet:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di putenza (max):1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
pacchettu / casu:PowerPAK® SC-70-6 Dual

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