CSD25304W1015T

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Parte di u fabricatore

CSD25304W1015T

U fabricatore
Texas
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2396
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.15V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:4.4 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:595 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):750mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-DSBGA
  • pacchettu / casu:6-UFBGA, DSBGA
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