IXFA7N100P

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Parte di u fabricatore

IXFA7N100P

U fabricatore
Wickmann / Littelfuse
Descrizzione
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2330
Datasheets in linea
IXFA7N100P PDF
Inchiesta
  • serie:HiPerFET™, PolarP2™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1000 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:7A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.9Ohm @ 3.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:6V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:47 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2590 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):300W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263 (IXFA)
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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