G3R160MT17D

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Parte di u fabricatore

G3R160MT17D

U fabricatore
GeneSiC Semiconductor
Descrizzione
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
580
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:G3R™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1700 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:21A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):15V
  • rds on (max) @ id, vgs:208mOhm @ 12A, 15V
  • vgs (th) (max) @ id:2.7V @ 5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 15 V
  • vgs (max):±15V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1272 pF @ 1000 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):175W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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