NGTB15N60S1EG

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Parte di u fabricatore

NGTB15N60S1EG

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
178
Datasheets in linea
NGTB15N60S1EG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:NPT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):30 A
  • current - collector pulsed (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 15A
  • putenza - max:117 W
  • scambià energia:550µJ (on), 350µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:88 nC
  • td (on/off) @ 25°c:65ns/170ns
  • cundizione di prova:400V, 15A, 22Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):270 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-220-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220
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