IXYX120N120B3

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Parte di u fabricatore

IXYX120N120B3

U fabricatore
Wickmann / Littelfuse
Descrizzione
IGBT
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
IXYX120N120B3 PDF
Inchiesta
  • serie:XPT™, GenX3™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):320 A
  • current - collector pulsed (icm):800 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 100A
  • putenza - max:1500 W
  • scambià energia:9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:400 nC
  • td (on/off) @ 25°c:30ns/340ns
  • cundizione di prova:960V, 100A, 1Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):54 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PLUS247™-3
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