APT15GP60BDQ1G

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Parte di u fabricatore

APT15GP60BDQ1G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
IGBT 600V 56A 250W TO247
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
APT15GP60BDQ1G PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 7®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Not For New Designs
  • tipu igbt:PT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):56 A
  • current - collector pulsed (icm):65 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 15A
  • putenza - max:250 W
  • scambià energia:130µJ (on), 120µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:55 nC
  • td (on/off) @ 25°c:8ns/29ns
  • cundizione di prova:400V, 15A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247 [B]
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