IRG8CH37K10F

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Parte di u fabricatore

IRG8CH37K10F

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
IGBT 1200V 100A DIE
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
IRG8CH37K10F PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):-
  • current - collector pulsed (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 35A
  • putenza - max:-
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:210 nC
  • td (on/off) @ 25°c:35ns/190ns
  • cundizione di prova:600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:-
  • pacchettu / casu:-
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:-
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