SGB02N120ATMA1

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Parte di u fabricatore

SGB02N120ATMA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IGBT, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES,
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
235
Datasheets in linea
SGB02N120ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:NPT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
  • current - collector (ic) (max):6.2 A
  • current - collector pulsed (icm):9.6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.6V @ 15V, 2A
  • putenza - max:62 W
  • scambià energia:220µJ
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:11 nC
  • td (on/off) @ 25°c:23ns/260ns
  • cundizione di prova:800V, 2A, 91Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO263-3-2
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