Name: NGTB10N60R2DT4G
Brand: Rochester Electronics
SKU: NGTB10N60R2DT4G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: NGTB10N60R2DT4G

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 2630

Datasheets in linea: NGTB10N60R2DT4G PDF

NGTB10N60R2DT4G Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu igbt:-
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
current - collector (ic) (max):20 A
current - collector pulsed (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 10A
putenza - max:72 W
scambià energia:412µJ (on), 140µJ (off)

tipu di input:Standard
carica di porta:53 nC
td (on/off) @ 25°c:48ns/120ns
cundizione di prova:300V, 10A, 30Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):90 ns
temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DPAK

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