STGW80H65DFB

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Parte di u fabricatore

STGW80H65DFB

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
IGBT 650V 120A 469W TO-247
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
840
Datasheets in linea
STGW80H65DFB PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):120 A
  • current - collector pulsed (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 80A
  • putenza - max:469 W
  • scambià energia:2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:414 nC
  • td (on/off) @ 25°c:84ns/280ns
  • cundizione di prova:400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):85 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247
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