Name: FGB5N60UNDF
Brand: Rochester Electronics
SKU: FGB5N60UNDF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FGB5N60UNDF

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 73530

Datasheets in linea: FGB5N60UNDF PDF

FGB5N60UNDF Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu igbt:NPT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
current - collector (ic) (max):10 A
current - collector pulsed (icm):15 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 5A
putenza - max:73.5 W
scambià energia:80µJ (on), 70µJ (off)

tipu di input:Standard
carica di porta:12.1 nC
td (on/off) @ 25°c:5.4ns/25.4ns
cundizione di prova:400V, 5A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):35 ns
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263AB (D²PAK)

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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