NGTB05N60R2DT4G

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Parte di u fabricatore

NGTB05N60R2DT4G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
4620
Datasheets in linea
NGTB05N60R2DT4G PDF
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):-
  • current - collector (ic) (max):-
  • current - collector pulsed (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • putenza - max:-
  • scambià energia:-
  • tipu di input:-
  • carica di porta:-
  • td (on/off) @ 25°c:-
  • cundizione di prova:-
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:-
  • pacchettu / casu:-
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:-
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