AFGY100T65SPD

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Parte di u fabricatore

AFGY100T65SPD

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
4502250
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):120 A
  • current - collector pulsed (icm):300 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.05V @ 15V, 100A
  • putenza - max:660 W
  • scambià energia:5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:109 nC
  • td (on/off) @ 25°c:36ns/78ns
  • cundizione di prova:400V, 100A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):105 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
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