FGA50N100BNTD2

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Parte di u fabricatore

FGA50N100BNTD2

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
3150
Datasheets in linea
FGA50N100BNTD2 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Last Time Buy
  • tipu igbt:NPT and Trench
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1000 V
  • current - collector (ic) (max):50 A
  • current - collector pulsed (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 60A
  • putenza - max:156 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:257 nC
  • td (on/off) @ 25°c:34ns/243ns
  • cundizione di prova:600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):75 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-3P-3, SC-65-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3P
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