SGP10N60RUFDTU

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Parte di u fabricatore

SGP10N60RUFDTU

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT 600V 16A TO220-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
939
Datasheets in linea
SGP10N60RUFDTU PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):16 A
  • current - collector pulsed (icm):30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 10A
  • putenza - max:75 W
  • scambià energia:141µJ (on), 215µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:30 nC
  • td (on/off) @ 25°c:15ns/36ns
  • cundizione di prova:300V, 10A, 20Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):60 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-220-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220-3
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