APT75GP120B2G

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Parte di u fabricatore

APT75GP120B2G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
2442
Datasheets in linea
APT75GP120B2G PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 7®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:PT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):100 A
  • current - collector pulsed (icm):300 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 75A
  • putenza - max:1042 W
  • scambià energia:1620µJ (on), 2500µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:320 nC
  • td (on/off) @ 25°c:20ns/163ns
  • cundizione di prova:600V, 75A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3 Variant
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:-
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