RGTH60TS65GC11

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Parte di u fabricatore

RGTH60TS65GC11

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
58
Datasheets in linea
RGTH60TS65GC11 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):58 A
  • current - collector pulsed (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 30A
  • putenza - max:197 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:58 nC
  • td (on/off) @ 25°c:27ns/105ns
  • cundizione di prova:400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247N
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