NGTB40N120FL2WG

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Parte di u fabricatore

NGTB40N120FL2WG

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
6300
Datasheets in linea
NGTB40N120FL2WG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
  • current - collector (ic) (max):80 A
  • current - collector pulsed (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 40A
  • putenza - max:535 W
  • scambià energia:3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:313 nC
  • td (on/off) @ 25°c:116ns/286ns
  • cundizione di prova:600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):240 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247
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