APT35GN120L2DQ2G

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Parte di u fabricatore

APT35GN120L2DQ2G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
IGBT 1200V 94A 379W TO264
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
3900
Datasheets in linea
APT35GN120L2DQ2G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:NPT, Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):94 A
  • current - collector pulsed (icm):105 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 35A
  • putenza - max:379 W
  • scambià energia:2.315mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:220 nC
  • td (on/off) @ 25°c:24ns/300ns
  • cundizione di prova:800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-264-3, TO-264AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:-
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