IRGIB10B60KD1P

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Parte di u fabricatore

IRGIB10B60KD1P

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
30000
Datasheets in linea
IRGIB10B60KD1P PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:NPT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):16 A
  • current - collector pulsed (icm):32 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 10A
  • putenza - max:44 W
  • scambià energia:156µJ (on), 165µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:41 nC
  • td (on/off) @ 25°c:25ns/180ns
  • cundizione di prova:400V, 10A, 50Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):79 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-220-3 Full Pack
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AB Full-Pak
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