APT68GA60LD40

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Parte di u fabricatore

APT68GA60LD40

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
IGBT 600V 121A 520W TO-264
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
1000000
Datasheets in linea
APT68GA60LD40 PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 8™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:PT
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):121 A
  • current - collector pulsed (icm):202 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 40A
  • putenza - max:520 W
  • scambià energia:715µJ (on), 607µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:198 nC
  • td (on/off) @ 25°c:21ns/133ns
  • cundizione di prova:400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):22 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-264-3, TO-264AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-264 [L]
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