IKQ50N120CH3XKSA1

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Parte di u fabricatore

IKQ50N120CH3XKSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
IGBT 1200V 100A TO247-3-46
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
7138
Datasheets in linea
IKQ50N120CH3XKSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):100 A
  • current - collector pulsed (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 50A
  • putenza - max:652 W
  • scambià energia:3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:235 nC
  • td (on/off) @ 25°c:34ns/297ns
  • cundizione di prova:600V, 50A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO247-3-46
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