RGT30NS65DGTL

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Parte di u fabricatore

RGT30NS65DGTL

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
101281
Datasheets in linea
RGT30NS65DGTL PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):30 A
  • current - collector pulsed (icm):45 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 15A
  • putenza - max:133 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:32 nC
  • td (on/off) @ 25°c:18ns/64ns
  • cundizione di prova:400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):55 ns
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:LPDS (TO-263S)
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