FGY60T120SQDN

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Parte di u fabricatore

FGY60T120SQDN

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT 1200V 60A UFS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
180000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):120 A
  • current - collector pulsed (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 60A
  • putenza - max:517 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:311 nC
  • td (on/off) @ 25°c:52ns/296ns
  • cundizione di prova:600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
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