NGB8207BNT4G

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Parte di u fabricatore

NGB8207BNT4G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
1600
Datasheets in linea
NGB8207BNT4G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):365 V
  • current - collector (ic) (max):20 A
  • current - collector pulsed (icm):50 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.6V @ 4V, 20A
  • putenza - max:165 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Logic
  • carica di porta:-
  • td (on/off) @ 25°c:-
  • cundizione di prova:-
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D2PAK
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