ES2J M4G

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Parte di u fabricatore

ES2J M4G

U fabricatore
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizzione
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
ES2J M4G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di diodu:Standard
  • voltage - DC inversa (vr) (max):600 V
  • currente - media rettificata (io):2A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 2 A
  • vitezza:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):35 ns
  • currente - fuga inversa @ vr:10 µA @ 600 V
  • capacità @ vr, f:20pF @ 4V, 1MHz
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:DO-214AA, SMB
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DO-214AA (SMB)
  • temperatura di funziunamentu - junction:-55°C ~ 150°C
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