1SS307E,L3F

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Parte di u fabricatore

1SS307E,L3F

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - unicu
Serie
-
In magazinu
50388
Datasheets in linea
1SS307E,L3F PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di diodu:Standard
  • voltage - DC inversa (vr) (max):80 V
  • currente - media rettificata (io):100mA
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.3 V @ 100 mA
  • vitezza:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • currente - fuga inversa @ vr:10 nA @ 80 V
  • capacità @ vr, f:6pF @ 0V, 1MHz
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-79, SOD-523
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SC-79
  • temperatura di funziunamentu - junction:150°C (Max)
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