Name: BYG10M-E3/TR
Brand: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
SKU: BYG10M-E3/TR
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BYG10M-E3/TR

U fabricatore: Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Descrizzione: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: diodi - rettificatori - unicu

Serie: -

In magazinu: 8999600

Datasheets in linea: BYG10M-E3/TR PDF

BYG10M-E3/TR Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu di diodu:Avalanche
voltage - DC inversa (vr) (max):1000 V
currente - media rettificata (io):1.5A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.15 V @ 1.5 A
vitezza:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

tempu di ricuperazione inversa (trr):4 µs
currente - fuga inversa @ vr:1 µA @ 1000 V
capacità @ vr, f:-
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:DO-214AC, SMA
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DO-214AC (SMA)
temperatura di funziunamentu - junction:-55°C ~ 150°C

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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