Name: TRS4E65F,S1Q
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TRS4E65F,S1Q
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: TRS4E65F,S1Q

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: diodi - rettificatori - unicu

Serie: -

In magazinu: 190

Datasheets in linea: -

TRS4E65F,S1Q Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu di diodu:Silicon Carbide Schottky
voltage - DC inversa (vr) (max):650 V
currente - media rettificata (io):4A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.6 V @ 4 A
vitezza:No Recovery Time > 500mA (Io)

tempu di ricuperazione inversa (trr):0 ns
currente - fuga inversa @ vr:20 µA @ 650 V
capacità @ vr, f:16pF @ 650V, 1MHz
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:TO-220-2
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220-2L
temperatura di funziunamentu - junction:175°C (Max)

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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