Name: WNSC06650T6J
Brand: WeEn Semiconductors Co., Ltd
SKU: WNSC06650T6J
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: WNSC06650T6J

U fabricatore: WeEn Semiconductors Co., Ltd

Descrizzione: SILICON CARBIDE POWER DIODE

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: diodi - rettificatori - unicu

Serie: -

In magazinu: 3000

Datasheets in linea: -

WNSC06650T6J Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu di diodu:Silicon Carbide Schottky
voltage - DC inversa (vr) (max):650 V
currente - media rettificata (io):6A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 6 A
vitezza:No Recovery Time > 500mA (Io)

tempu di ricuperazione inversa (trr):0 ns
currente - fuga inversa @ vr:40 µA @ 650 V
capacità @ vr, f:190pF @ 1V, 1MHz
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:4-VDFN Exposed Pad
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:5-DFN (8x8)
temperatura di funziunamentu - junction:175°C (Max)

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