MZ0912B50Y,114

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Parte di u fabricatore

MZ0912B50Y,114

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
1
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):20V
  • freccia - transizione:1.215GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):-
  • guadagnà:8dB
  • putenza - max:150W
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • current - collector (ic) (max):3A
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SOT-443A
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:CDFM2
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