Name: MT3S113P(TE12L,F)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: MT3S113P(TE12L,F)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: MT3S113P(TE12L,F)

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - bipolari (bjt) - rf

Serie: -

In magazinu: 1818

Datasheets in linea: MT3S113P(TE12L,F) PDF

MT3S113P(TE12L,F) Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu di transistor:NPN
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):5.3V
freccia - transizione:7.7GHz
figura di rumore (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
guadagnà:10.5dB

putenza - max:1.6W
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
current - collector (ic) (max):100mA
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:TO-243AA
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PW-MINI

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