MT3S111TU,LF

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Parte di u fabricatore

MT3S111TU,LF

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
3372
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):6V
  • freccia - transizione:10GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • guadagnà:12.5dB
  • putenza - max:800mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:3-SMD, Flat Lead
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:UFM
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