NSVMMBTH10LT1G

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Parte di u fabricatore

NSVMMBTH10LT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
1639150000
Datasheets in linea
NSVMMBTH10LT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):25V
  • freccia - transizione:650MHz
  • figura di rumore (db typ @ f):-
  • guadagnà:-
  • putenza - max:225mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 4mA, 10V
  • current - collector (ic) (max):-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23
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