BFP740E6327

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Parte di u fabricatore

BFP740E6327

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
31830
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):4.7V
  • freccia - transizione:42GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
  • guadagnà:27dB
  • putenza - max:160mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:160 @ 25mA, 3V
  • current - collector (ic) (max):30mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-82A, SOT-343
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT343-4
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