Name: HN3C10FUTE85LF
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: HN3C10FUTE85LF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: HN3C10FUTE85LF

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - bipolari (bjt) - rf

Serie: -

In magazinu: 111

Datasheets in linea: -

HN3C10FUTE85LF Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu di transistor:2 NPN (Dual)
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):12V
freccia - transizione:7GHz
figura di rumore (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
guadagnà:11.5dB

putenza - max:200mW
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 20mA, 10V
current - collector (ic) (max):80mA
temperatura di funziunamentu:-
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:US6

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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