55GN01MA-TL-E

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Parte di u fabricatore

55GN01MA-TL-E

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
2147483647
Datasheets in linea
55GN01MA-TL-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):10V
  • freccia - transizione:4.5GHz ~ 5.5GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):1.9dB @ 1GHz
  • guadagnà:10dB @ 1GHz
  • putenza - max:400mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
  • current - collector (ic) (max):70mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-70, SOT-323
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:3-MCP
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