BFU730LXZ

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Parte di u fabricatore

BFU730LXZ

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
BFU730LXZ PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):3V
  • freccia - transizione:53GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.75dB @ 6GHz
  • guadagnà:15.8dB
  • putenza - max:160mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:205 @ 2mA, 3V
  • current - collector (ic) (max):30mA
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:3-XFDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:3-DFN1006 (1.0x0.6)
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